FCP600N65S3R0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FCP600N65S3R0
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	SUPERFET3 650V TO220 PKG
Livret des spécifications:	FCP600N65S3R0.pdf
Etat du stock	91700 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 91700 pcs

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Spécifications de FCP600N65S3R0

Modèle de produit	FCP600N65S3R0	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	SUPERFET3 650V TO220 PKG	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	91700 pcs	Fiche technique	FCP600N65S3R0.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 600µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	SuperFET® III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	54W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Statut sans plomb	Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	465pF @ 400V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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