Modèle de produit | GP1M016A060N | Fabricant | Global Power Technologies Group |
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La description | MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5488 pcs | Fiche technique | GP1M016A060N.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3PN |
Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 8A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 312W (Tc) | Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 | Autres noms | 1560-1188-1 1560-1188-1-ND 1560-1188-5 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3039pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
Description détaillée | N-Channel 600V 16A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
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