RE1C001UNTCL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RE1C001UNTCL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
Livret des spécifications:	1.RE1C001UNTCL.pdf 2.RE1C001UNTCL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	213432 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 213432 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.148

10 pcs: $0.134

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500 pcs: $0.04

1000 pcs: $0.027

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Spécifications de RE1C001UNTCL

Modèle de produit	RE1C001UNTCL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	213432 pcs	Fiche technique	1.RE1C001UNTCL.pdf 2.RE1C001UNTCL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	EMT3F (SOT-416FL)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	150mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SC-89, SOT-490	Autres noms	RE1C001UNTCLCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7.1pF @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.2V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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