RQ3E075ATTB

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RQ3E075ATTB
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Livret des spécifications:	1.RQ3E075ATTB.pdf 2.RQ3E075ATTB.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	172665 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 172665 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de RQ3E075ATTB

Modèle de produit	RQ3E075ATTB	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	172665 pcs	Fiche technique	1.RQ3E075ATTB.pdf 2.RQ3E075ATTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-HSMT (3.2x3)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	15W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	RQ3E075ATTBTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.4nC @ 4.5V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	P-Channel 30V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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