Modèle de produit | PDTA115ES,126 | Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale |
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La description | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 6714 pcs | Fiche technique | |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased | Package composant fournisseur | TO-92-3 |
Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms | Puissance - Max | 500mW |
Emballage | Tape & Box (TB) | Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Autres noms | 934058152126 PDTA115ES AMO PDTA115ES AMO-ND |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 20mA |
Numéro de pièce de base | PDTA115 |
FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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