STF28N65M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STF28N65M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Livret des spécifications:	STF28N65M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	27352 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27352 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.199

50 pcs: $0.967

100 pcs: $0.87

500 pcs: $0.677

1000 pcs: $0.561

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Spécifications de STF28N65M2

Modèle de produit	STF28N65M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	27352 pcs	Fiche technique	STF28N65M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220FP
Séries	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	497-15534-5
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 20A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs, les relais)

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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