STP35N60DM2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP35N60DM2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 28A
Livret des spécifications:	STP35N60DM2.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	19353 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19353 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.037

50 pcs: $1.637

100 pcs: $1.491

500 pcs: $1.208

1000 pcs: $1.018

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Spécifications de STP35N60DM2

Modèle de produit	STP35N60DM2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 28A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	19353 pcs	Fiche technique	STP35N60DM2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	MDmesh™ DM2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)	210W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-16359-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	28A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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