Modèle de produit | TSM950N10CW RPG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
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La description | MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 182314 pcs | Fiche technique | TSM950N10CW RPG.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-223 |
Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 9W (Tc) | Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA | Autres noms | TSM950N10CW RPGCT TSM950N10CW RPGCT-ND TSM950N10CWRPGCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Délai de livraison standard du fabricant | 28 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Tc) |
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